| عنوان مقاله به انگلیسی | Operation Scheme Optimizations to Achieve Ultra-high Endurance (1010) in Flash Memory with Robust Reliabilities |
| عنوان مقاله به فارسی | مقاله بهینه سازی طرح عملکرد برای دستیابی به استقامت فوق العاده بالا (1010) در حافظه فلش با قابلیت اطمینان |
| نویسندگان | Yang Feng, Zhaohui Sun, Chengcheng Wang, Xinyi Guo, Junyao Mei, Yueran Qi, Jing Liu, Junyu Zhang, Jixuan Wu, Xuepeng Zhan, Jiezhi Chen |
| زبان مقاله | انگلیسی |
| فرمت مقاله: | |
| تعداد صفحات | 4 |
| دسته بندی موضوعات | Systems and Control,سیستم و کنترل , |
| توضیحات | Submitted 16 January, 2024; originally announced January 2024. |
| توضیحات به فارسی | 16 ژانویه 2024 ارسال شد.در ابتدا ژانویه 2024 اعلام شد. |
چکیده
Flash memory has been widely adopted as stand-alone memory and embedded memory due to its robust reliability. However, the limited endurance obstacles its further applications in storage class memory (SCM) and to proceed endurance-required computing-in-memory (CIM) tasks. In this work, the optimization strategies have been studied to tackle this concern. It is shown that by adopting the channel hot electrons injection (CHEI) and hot hole injection (HHI) to implement program/erase (PE) cycling together with a balanced memory window (MW) at the high-Vth (HV) mode, impressively, the endurance can be greatly extended to 1010 PE cycles, which is a record-high value in flash memory. Moreover, by using the proposed electric-field-assisted relaxation (EAR) scheme, the degradation of flash cells can be well suppressed with better subthreshold swings (SS) and lower leakage currents (sub-10pA after 1010 PE cycles). Our results shed light on the optimization strategy of flash memory to serve as SCM and implementendurance-required CIM tasks.
چکیده به فارسی (ترجمه ماشینی)
حافظه فلش به دلیل قابلیت اطمینان قوی آن به طور گسترده ای به عنوان حافظه مستقل و حافظه تعبیه شده پذیرفته شده است.با این حال ، استقامت محدود برنامه های بیشتر خود را در حافظه کلاس ذخیره سازی (SCM) و برای انجام وظایف محاسبات در حافظه (CIM) با استقامت استقامتی انجام می دهد.در این کار ، استراتژی های بهینه سازی برای مقابله با این نگرانی مورد مطالعه قرار گرفته است.نشان داده شده است که با اتخاذ تزریق الکترونهای داغ کانال (CHEI) و تزریق سوراخ داغ (HHI) برای اجرای دوچرخه سواری برنامه/پاک کردن (PE) به همراه یک پنجره حافظه متعادل (MW) در حالت VIGH-VTH (HV) ، به طرز چشمگیری، استقامت را می توان تا حد زیادی به 1010 چرخه PE گسترش داد ، که یک مقدار رکورد بالا در حافظه فلش است.علاوه بر این ، با استفاده از طرح آرامش (EAR) با کمک الکتریکی پیشنهادی (EAR) ، تخریب سلولهای فلش را می توان با نوسانات زیر آستانه بهتر (SS) و جریانهای نشت پایین تر (زیر 10PA بعد از 1010 چرخه PE) سرکوب کرد.نتایج ما در استراتژی بهینه سازی حافظه فلش روشن می شود تا به عنوان SCM و کارهای CIM Relederance- به کار رفته باشد.
| توجه کنید این مقاله به زبان انگلیسی است. |
|
برای سفارش ترجمه این مقاله می توانید به یکی از روش های تماس، پیامک، تلگرام و یا واتس اپ با شماره زیر تماس بگیرید:
09395106248 توجه کنید که شرایط ترجمه به صورت زیر است:
|
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.