کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدان و تحلیل مقیاس‌پذیری در فناوری‌های نوین نانوالکترونیک با فرمت AZW3 برای کتابخوان کیندل و فرمت EPUB

249,950 تومان
پرداخت اقساطی
در صورت خرید اقساطی هر قسط: 62,488 تومان
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.
پرداخت اقساطی با دیجی‌پی پرداخت اقساطی با ترب‌پی

🎓 دوره آموزشی جامع

📚 اطلاعات دوره

عنوان دوره: دوره مبانی ترانزیستورهای اثر میدان و تحلیل مقیاس‌پذیری در فناوری‌های نوین نانوالکترونیک

موضوع کلی: مهندسی برق و الکترونیک

موضوع میانی: ادوات نیمه‌هادی و فناوری ساخت قطعات

📋 سرفصل‌های دوره (100 موضوع)

  • 1. مبانی فیزیک نیمه‌هادی‌ها و حامل‌های بار
  • 2. ساختار بلوری و پیوندهای کووالانسی در سیلیسیم
  • 3. ترازهای انرژی و شکاف باند در نیمه‌هادی‌ها
  • 4. آمار توزیع فرمی-دیراک و غلظت حامل‌های ذاتی
  • 5. مکانیسم‌های هدایت الکتریکی و تحرک‌پذیری حامل‌ها
  • 6. اثرات ناخالصی و دوپینگ در نیمه‌هادی‌های نوع n و p
  • 7. معادلات بنیادی انتقال بار و جریان‌های نفوذی و رانشی
  • 8. فیزیک پیوندگاه PN در حالت تعادل و بایاس
  • 9. ظرفیت خازنی پیوندگاه و اثرات تخلیه بار
  • 10. مقدمه‌ای بر ساختار و عملکرد ترانزیستور اثر میدان پیوندی JFET
  • 11. معادلات جریان-ولتاژ و ناحیه اشباع در JFET
  • 12. ساختار فیزیکی ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادی-اکسید-فلز MOSFET
  • 13. مفاهیم ولتاژ آستانه و انباشت بار در گیت MOS
  • 14. ظرفیت‌های خازنی اکسید گیت و اثرات زیرآستانه‌ای
  • 15. مدل‌سازی جریان درین-سورس در حالت خطی و اشباع
  • 16. اثرات کانال کوتاه و مدولاسیون طول کانال
  • 17. پدیده تزریق حامل‌های داغ و اثرات آن در قابلیت اطمینان
  • 18. مبانی فناوری ساخت ادوات نیمه‌هادی در مقیاس نانو
  • 19. فرآیند اکسیداسیون حرارتی و رشد لایه‌های دی‌الکتریک
  • 20. تکنیک‌های لایه‌نشانی بخار شیمیایی و فیزیکی
  • 21. مراحل فوتولیتوگرافی و الگوسازی در ابعاد میکرومتر و نانومتر
  • 22. فرآیندهای کاشت یون و بازپخت حرارتی
  • 23. روش‌های اچینگ خشک و مرطوب در ساختار ادوات
  • 24. مفاهیم مقیاس‌بندی (Scaling) مطابق قانون مور
  • 25. چالش‌های اتصال کوتاه و اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانومقیاس
  • 26. اثر تخلیه القایی و محدودیت‌های تونل‌زنی در اکسید گیت
  • 27. معرفی ساختار ترانزیستورهای FinFET
  • 28. مزایای کنترل گیت سه‌بعدی در کاهش جریان نشتی
  • 29. مبانی ترانزیستورهای اثر میدان با گیت فلزی و دی‌الکتریک‌های High-k
  • 30. تحلیل جریان نشتی گیت و روش‌های بهینه‌سازی آن
  • 31. مدل‌های پارامتری برای تحلیل مدارات مجتمع CMOS
  • 32. تکنیک‌های کاهش توان مصرفی در طراحی‌های نوین
  • 33. اثرات تغییرات فرآیندی و عدم قطعیت در تولید انبوه
  • 34. مبانی شبیه‌سازی عددی ادوات نیمه‌هادی
  • 35. معرفی نرم‌افزارهای استاندارد در طراحی و تحلیل قطعات
  • 36. بررسی پایداری حرارتی و مدیریت گرما در ادوات مقیاس‌بندی شده
  • 37. اصول تست و اندازه‌گیری پارامترهای الکتریکی ترانزیستورها
  • 38. روش‌های استخراج پارامترهای مدل از داده‌های تجربی
  • 39. چشم‌انداز فناوری‌های نوین نیمه‌هادی و ترانزیستورهای نسل آینده
  • 40. تکنولوژی‌های مبتنی بر مواد دوبعدی و نانوسیم‌ها در ادوات الکترونیک
  • 41. اخلاق حرفه‌ای و استانداردهای ملی در مهندسی قطعات الکترونیک
تگ‌ها: MOSFET ادوات نیمه‌هادی ترانزیستور اثر میدان فناوری ساخت قطعات فناوری نیمه‌هادی فیزیک قطعات الکترونیک مدارهای مجتمع مقیاس‌پذیری ترانزیستور مهندسی الکترونیک نانوالکترونیک

نظرات

هنوز نظری ثبت نشده است.

وارد شوید تا نظر ثبت کنید.